ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001

ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001ABB 3BHB009885R5231,PHASEMODULE S-093R
ABB 3BHE031197R0001
H200, RTX4090, RTX5090
ABB PCS 6000 Wind
AMAT 0010-27983
ABB S-073N ALU 3BHB009884R5211
ABB S-093H 3BHB030478R0309
ABB S-123H 3BHB030479R0512
ABB UFC912A101 3BHE039426R0101
ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001
ABB S-113N 3BHB018008R0001
EMERSON A6370D 9199-00040
NVIDIA H100 PCIE
NVIDIA H800 PCIE
LAM 839-101612-885
LAM 839-101612-887
LAM 719-101612-885
LAM 719-101612-887
LAM 08340205

Description

ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001

这是一种采用新型 IGCT 芯片和先进电路设计的大功率半导体中高压器件模块,属于非对称晶闸管 IGCT125。它集成了多项保护功能,如过载保护、短路保护、过压保护和欠压保护等,可确保设备在各种异常情况下安全运行5。该模块具有高效的电压和电流控制能力,能够保护电力系统中的电器设备免受电压和电流的影响,广泛应用于变频器、发电机、输电线路、电动机等设备的电流和电压控制,也可用于高压直流输电、工业传动、高性能电机、太阳能逆变器和电力转换器等领域25

产品参数

  • 芯片类型:高性能 IGCT 芯片2
  • 关断特性:GTO 关断 SOA(安全操作区)得到改进,在高功率(3kA/4.5kV)下,集成栅极驱动器可在阳极之前将阴极电流整流为零,电压开始上升。所需的门电路电感非常低,通过同轴门与多层组合的馈通 PCB 栅极驱动连接,可实现≥5–6kA/µs 的值和 20 伏的栅极电压1
  • 导通特性:由于其在晶闸管模式下的导通操作,IGCT 具有固有的较低传导损耗比 IGBT。缓冲层使 IGCT 与 IGBT 的开关损耗相当(忽略 IGBT 的导通损耗更高为二极管恢复保护)1
  • 开关频率:开关频率范围为 500Hz 至 2kHz1
  • 额定电流:可达 1600A8
  • 额定电压:可达 3300V8